HyperLith シミュレータ



Source Optimization (ソース最適化)

  • ○ 2つのソースの最適化アルゴリズム(SO1とSO2)
  • ○ GDSマルチサイトマスクパターンに組み込まれていて使いやすい
  • ○ EUV、DUV共に厳密解マスクモデルの使用が可能です
  • ○ 複数のパターンに対して同時に最適化を行うことができます

EUV

  • ○ Embedded Multilayer Mirror Defects (埋め込み積層ミラーの欠陥)
  • ○ Arbitrary Defect Geometry (任意欠陥形状)
  • ○ Inspect-ability (検査能力)
  • ○ Print-ability(印刷能力)
  • ○ Off-axis Shadowing Effects, H-V bias (including Non-Constant Scattering Coefficients) (軸外シャドーイング効果、H-Vバイアス(非定数散乱係数を含む))
  • ○ Absorber Stack Analysis (吸収帯積層解析)
  • ○ Absorber Profile (sidewall & corner rounding) (吸収帯プロファイル(側壁&角の円形化))
  • ○ Absorber Defects (吸収帯の欠陥)
  • ○ OPC for EUV (small area) (EUV用小領域OPC)
  • ○ Multilayer Mirror Structure (PSM) (積層ミラー構造)

RCWA

Panoramic Technology Inc.はRCWAを導入しています!
  • ○ 非常に精度が高い
  • ○ 小規模な二次元領域に対し高速化を実現
  • ○ 三次元領域(二次元格子)にも対応
  • ○ 積層の厚みや入射角度が異なるEUVライン/スペースに最適
  • ○ EM-SuiteおよびHyperLithに組み込み済み
  • ○ WindowsとLinuxで32/64ビットに対応
  • ○ 既存のお客様にはTEMPESTpr2のオプションとして無償提供

Immersion (液浸)

  • ○ polarization effects (偏光効果)
  • ○ high-index immersion lithography (高インデックス液浸リソグラフィ)
  • ○ immersion bubble (液浸バブル)

Resist (レジスト)

  • ○ PEB Diffusion Effects (PEB拡散効果)
  • ○ Surface Inhibition (表面抑制)
  • ○ Temperature Effects (温度効果)
  • ○ Sidewall analysis (側壁解析)
  • ○ Inner-Outer corner bias analysis (内側/外側角バイアス解析)
  • ○ CALPM, Full-physics, Diffused Image models (CALPMモデル、完全な物理モデル、拡散イメージモデル)
  • ○ EUV & DUV resists (EUV&DUVレジスト)

Double Patterning (二重露光)

  • ○ Litho-Etch Litho-Etch (リソ-エッチング リソ-エッチング)
  • ○ Litho-Freeze Litho-Etch (リソ-凍結 リソ-エッチング)
  • ○ Sidewall Spacer (側壁スペーサー)
  • ○ Wafer topography effects (ウェーハトポグラフィ効果)
  • ○ Non-planar resist (非平面レジスト)
  • ○ Underlying features from 1st exposure (初回露光からの下地機能)

Phase Shift Masks (位相シフトマスク)

  • ○ Alternating PSM: Intensity imbalance between shifed and unshifted openings (交互PSM:シフトされている開口部とされていない開口部の間の強度のアンバランス)
  • ○ Phase defects (位相欠陥)
  • ○ Wet etch/dual-trenching (ウェットエッチング/二重トレンチ)
  • ○ Attenuated Phase Shift Masks 減衰位相シフトマスク

DUV Binary Masks (DUVバイナリマスク)

  • ○ OPC Verification (OPCの検証)
  • ○ Line-end shortening (ライン端の短縮化)
  • ○ so-dense bias (Iso高密度バイアス)

Film Stack Analysis (積層膜解析)

  • ○ BARC Optimization (BARC最適化)
  • ○ Multilayer Mirror Reflectivity (多層ミラー反射率)
  • ○ Resist thickness effects (レジスト厚効果)